Producenci pamięci NAND flash wykorzystywanych w wielu współczesnych urządzeniach elektronicznych, w tym w iPhone‘ach i iPadach, stale pracują nad nowymi procesami produkcyjnymi, dzięki którym można będzie produkować pamięci w technologii <30nm. Mimo, iż jest to już możliwe, to produkt taki musi być certyfikowany przez największego odbiorcę pamięci flash – Apple.

Zarówno Samsung Electronics, jak i Toshiba zaczęły produkować pamięci w technologii poniżej 30nm, jednak przechodzenie na nowy proces produkcyjny ma sens jedynie wtedy, gdy firmy takie jak Apple zechcą nowy produkt kupić. Zmiana procesu produkcyjnego przeciąga się rzekomo z powodu dłuższych okresów certyfikacyjnych. Podczas gdy pamięci flash produkowane w technologii 30nm zatwierdzone były przez Apple w okresie do 6 miesięcy, to obecnie proces ten może potrwać nawet 9 miesięcy.

Trend do rozpoczęcia masowej produkcji pamięci NAND flash wykonanych w technologii <30nm rozpoczął się z początkiem 2011 roku, kiedy firma Micron Technology jako pierwsza zaczęła produkcję pamięci 25nm. W jej ślady poszedł Samsung z procesem 27nm, Toshiba z procesem 24nm oraz Hynix Semiconductor produkujący pamięci w technologii 26nm.

Mimo, iż Apple nie zdążyło jeszcze zaakceptować procesu produkcji pamięci <30nm, to najwięksi jej producenci szykują się do wyścigu w obniżeniu procesu produkcyjnego do 20nm. Samsung ma rzekomo zmienić swój proces z 27nm na 21nm, podczas gdy Toshiba ma zamiar produkować pamięci w technologii 19nm, zamiast 24nm.